Photoelectrical detection and characterization of divacancy and PL5-PL7 spins in silicon carbide
Diese Studie demonstriert die skalierbare, raumtemperaturfähige photoelektrische Detektion und Charakterisierung von Spin-Defekten (PL3, PL5–PL7) in Siliziumkarbid, wobei insbesondere die PL5- und PL7-Zentren aufgrund ihrer hohen Ionisierungseffizienz für elektrische Auslesung besonders geeignet sind und neue Erkenntnisse wie eine sekundäre Resonanz von PL7 liefern.