Heterogeneously Integrated Efficient and Widely Tunable Lasers at 795 nm for Rubidium-Based Quantum Technologies
Diese Arbeit präsentiert eine wafer-skalierbare, mikrotransfergedruckte heterogene Integration von GaAs-Verstärkern mit Siliziumnitrid-Wellenleitern zur Erzeugung kompakter, weit abstimmbarer 795-nm-Laser, die rekordverdächtige schmale Linienbreiten und hohe Ausgangsleistungen erreichen und somit eine skalierbare Lösung für die nächste Generation der Rubidium-basierten Quantentechnologien bieten.