Kinetics of electron-phonon scattering in silicon resolved by Rydberg transitions of donors
Durch die Kombination eines umfassenden theoretischen Modells der Donor-Phonon-Kinetik mit zeitaufgelösten Messungen an einem Freie-Elektronen-Laser klärt diese Studie die Kinetik der Elektron-Phonon-Streuung in Silizium auf, um zu zeigen, dass das Minimum des Leitungsbandes weiter vom X-Punkt entfernt liegt als üblicherweise angenommen, und etabliert damit die Donor-Relaxation als Präzisionsmetrologie für die Bandparameter von Silizium.