High-Fidelity Raman Spin-Dependent Kicks in the Presence of Micromotion
Dieser Artikel schlägt ein hochpräzises, spinabhängiges Raman-Kick-Schema für gefangene Ionen vor, das Nanosekundenpulse und optimierte HF-Parameter zur Unterdrückung von durch Mikrobewegung verursachten Fehlern nutzt, um Ungenauigkeiten von bis zu ohne Mikrobewegung und unter mit Mikrobewegung zu erreichen, wodurch Zwei-Qubit-Gatter mit einer Dauer unterhalb der Fallenperiode ermöglicht werden.