Modelling the Impact of Device Imperfections on Electron Shuttling in SiMOS devices
Diese Studie nutzt 3D-Simulationen, um die Auswirkungen von Bauelementeunvollkommenheiten auf den Elektronentransport in SiMOS-Bauelementen zu modellieren und identifiziert kritische Betriebsparameter sowie Defektarten, die den zuverlässigen Transport zwischen „Eimerketten"- und „Förderband"-Modi beeinflussen.