Direct Measurement of the Singlet Lifetime and Photoexcitation Behavior of the Boron Vacancy Center in Hexagonal Boron Nitride
Diese Studie misst die Lebensdauer des Singulett-Zustands des Bor-Leerstellen-Zentrums in hexagonalem Bornitrid direkt mit 15(3) ns, ermittelt elektronische Übergangsraten durch Anpassung an ein 9-Niveau-Modell und liefert Hinweise auf eine optisch induzierte Ladungszustandskonversion.
Richard A. Escalante, Andrew J. Beling, Daniel G. Ang, Niko R. Reed, Justin J. Welter, John W. Blanchard, Cecilia Campos, Edwin Coronel, Klaus Krambrock, Alexandre S. Leal, Paras N. Prasad, Ronald L. (…)2026-04-15⚛️ quant-ph