First principles band structure of interacting phosphorus and boron/aluminum -doped layers in silicon
Mediante la teoría del funcional de la densidad, este estudio demuestra que las capas dopadas con fósforo y boro/aluminio en silicio interactúan de manera que se cancelan mutuamente a distancias inferiores a 1 nm, comportándose como silicio intrínseco, mientras que a mayores distancias actúan como diodos p-n independientes con una probabilidad de tunelización aumentada.