Electron transport in a 1.6~nm-thick double-gated (100) silicon nanosheet: A theoretical study accounting for phonon confinement and remote-phonon scattering
Este estudio teórico demuestra que en nanohojas de silicio de 1.6 nm de espesor, las condiciones de contorno realistas de confinamiento de fonones reducen significativamente la movilidad a temperatura ambiente y disminuyen la velocidad de saturación en campo alto, mientras que la dispersión por fonones remotos de las capas de puerta de alta constante dielétrica tiene un impacto negativo insignificante en la movilidad de bajo campo y, de hecho, mejora la velocidad de saturación al enfriar los electrones.