Impact of gate voltage on switching field of perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer
Este trabajo presenta una simulación micromagnética y un estudio experimental que demuestran que la anisotropía magnética controlada por voltaje (VCMA) domina la conmutación en uniones de túnel magnético con capa libre antiferromagnética sintética de alto producto resistencia-área, proporcionando un marco unificado para optimizar la escalabilidad y eficiencia energética de la memoria MRAM basada en torque de espín-orbital.