Dominant scattering mechanisms in the low/high electric field transport in cryogenic 2D confinement in Silicon (110) with high- oxides
Mediante simulaciones de Monte Carlo, este estudio revela que el transporte de electrones en dispositivos de silicio (110) a temperaturas criogénicas está limitado a bajos campos eléctricos por la competencia entre dispersión Coulombiana remota y rugosidad superficial, y a altos campos por la emisión de fonones, mientras que los dieléctricos de alta constante dieléctrica como el HfO₂ reducen la movilidad debido a la dispersión por fonones remotos.