Interplay between strain and size quantization in a class of topological insulators based on inverted-band semiconductors
Este artículo desafía la visión predominante sobre los estados superficiales topológicos en semiconductores de banda invertida de ancho finito y deformados al demostrar que el solapamiento de las funciones de onda en los límites opuestos induce la retrodispersión que destruye la robustez del estado, al tiempo que deriva condiciones de contorno universales para el modelo de Kane que revelan un nuevo "estado de ala" inducido por la deformación ausente en el modelo de Luttinger.