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Multiphysics simulations of microstructure influence on hysteresis and eddy current losses of electrical steel

Este artículo emplea simulaciones micromagnéticas y homogeneización computacional en microestructuras de acero Fe-Si impresas mediante la técnica de binder jetting digitalizadas para demostrar que la optimización del tamaño de grano y del espesor de la fase de los bordes de grano puede minimizar eficazmente tanto las pérdidas por histéresis como las pérdidas por corrientes de Foucault en el acero eléctrico.

Epstein zeta method for many-body lattice sums

Este artículo presenta un método eficiente basado en la función zeta de Epstein que transforma el cálculo de sumas de red de muchos cuerpos de una sumatoria directa de complejidad exponencial a integrales singulares de costo lineal, permitiendo estudios de alta precisión de interacciones de tres cuerpos como el potencial de Axilrod-Teller-Muto y revelando transiciones estructurales inducidas por presión en sistemas de materia condensada.

Anomalous phonon magnetic moments

Este artículo identifica tres casos anómalos —fonones axiales sin rotación, razones giromagnéticas divergentes y razones giromagnéticas anisotrópicas— que demuestran que los momentos magnéticos de los fonones no pueden explicarse completamente mediante los marcos convencionales, revelando así nuevos aspectos del magnetismo de fonones y sugiriendo la existencia de un orden oculto fononmagnético.

Crystal field tuned spin-flip luminescence in NiPS3

Este artículo resuelve el debate en torno a la naturaleza de la fotoluminiscencia aguda del NiPS3 al combinar experimentos de sustitución y cálculos teóricos para demostrar que la emisión se origina en una transición de inversión de espín ajustada por el campo cristalino entre un estado fundamental triplete y un estado excitado singlete, estableciendo así un vínculo fundamental entre las propiedades ópticas del material y su orden magnético.

Vanadium-doped HfO$_2$, multiferroic uncompromised

Los cálculos ab initio revelan que el dopaje con vanadio de baja concentración en HfO$_2$ ortorrómbico produce un aislante multiferroico robusto que mantiene una brecha de banda significativa y una polarización intrínseca mientras exhibe un ferromagnetismo que aumenta linealmente.

Electron-phonon-coupled Langevin dynamics for strongly-correlated insulators

Este artículo deriva ecuaciones de Landau-Lifshitz-Gilbert estocásticas generalizadas a partir de primeros principios para aislantes de Mott con acoplamiento espín-órbita mediante la incorporación de interacciones electrón-fonón vía un formalismo de integral de camino de Keldysh, estableciendo así un marco microscópico que captura con precisión la dinámica de espín disipativa, las fluctuaciones térmicas y los procesos de relajación fuera del equilibrio.

TEM Agent: enhancing transmission electron microscopy (TEM) with modern AI tools

Este artículo presenta TEM Agent, un marco de trabajo que aprovecha los Modelos de Lenguaje Extensos y el Protocolo de Contexto de Modelo para permitir el control basado en texto de los subsistemas de microscopía electrónica de transmisión, la gestión de datos y los recursos de computación de alto rendimiento, simplificando así flujos de trabajo complejos sin requerir entrenamiento adicional del modelo.

Quantum control of Hubbard excitons

Este estudio demuestra el control cuántico de un excitón de Hubbard fuertemente correlacionado en el aislante de Mott unidimensional Sr$_2$CuO$_3$ mediante el uso de ingeniería de Floquet en el infrarrojo medio no resonante para impulsar rotaciones ultrarrápidas entre estados brillantes y oscuros, cuantificadas mediante la generación de tercer armónico resonante.

Zero Indirect Band Gap and Flat Bands in a Niobium Oxyiodide Cluster Material

Mediante química exploratoria que involucró NbI$_4$, Li$_2$(CN$_2$) y Li$_2$O, investigadores descubrieron y caracterizaron estructuralmente dos nuevos compuestos de clústeres de oxiyoduro de niobio, Nb$_6$O$_3$I$_{15}$ y Nb$_{11}$O$_6$I$_{24}$, exhibiendo este último una estructura única en forma de cuerda que los cálculos de DFT revelan posee un gap indirecto cero y bandas planas indicativas de estados electrónicos inter-clúster fuertemente correlacionados.

Electrostatic Charge Model for Dual-Layer Oxide Thin-Film Transistors