Piezomagnetic Switching of Nonvolatile Antiferromagnetic States
Este artículo propone un esquema de escritura piezomagnética en celdas de memoria basadas en Mn3Ir que permite el conmutación determinista, no volátil y ultrafácil de estados antiferromagnéticos, superando las limitaciones de velocidad de los métodos convencionales mediante el efecto piezomagnético y la interacción Dzyaloshinskii-Moriya interfacial.
Xilai Bao, Oleksandr Pylypovskyi, Huali Yang, Yali Xie, Damien Faurie, Fatih Zighem, Sophie Weber, Jiabin Wang, Jiachen Liang, Hong Xu, Ruoan Zou, Huatao Jiang, Dong Han, Pavlo Makushko, Xiaotao Wang (…)2026-04-15🔬 cond-mat.mtrl-sci