Groove-shaped defects in as-grown (001)-oriented -GaO epilayers prepared by halide vapor phase epitaxy
Este estudio revela que los defectos en forma de surco en las capas epilaminares de -GaO con orientación (001) crecidas mediante epitaxia en fase de vapor de haluros surgen de variaciones locales en la orientación superficial y en el suministro de escalones que promueven un crecimiento facetado, con defectos planares asociados que se forman como consecuencia de la coalescencia de sectores de crecimiento en lugar de como sitios de nucleación provenientes de dislocaciones del sustrato.