High-temperature operation of III-nitride high-electron-mobility transistors
Este artículo analiza la operación a alta temperatura de los HEMTs de nitruro III mediante el examen del impacto en las propiedades de los materiales y de los dispositivos, la evaluación de estrategias para mitigar los efectos térmicos y la valoración de su estabilidad en diversas aplicaciones, al tiempo que destaca los desafíos de diseño restantes.