Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures
El estudio presenta un marco teórico y experimental que demuestra que el ensanchamiento interfacial a nivel atómico en superredes de SiGe/Si induce estados de energía localizados, los cuales generan nuevas transiciones ópticas entre 2 y 2.5 eV y permiten caracterizar no destructivamente la calidad de la interfaz.