Chemical tuning of electronic and transport properties of the Bi-Se-Te family of topological insulators
Mediante espectroscopía de fotoemisión resuelta en ángulo (ARPES), el estudio demuestra que el aumento del contenido de telurio en los aislantes topológicos Bi₂(Se₁₋ₓTeₓ)₃ reduce el potencial químico y la densidad de estados del volumen, provocando una transición de comportamiento metálico a semiconductivo en la resistividad y permitiendo que los estados superficiales metálicos dominen la conducción a bajas temperaturas.