Theory of x-ray scattering from optically pumped excitons in atomically thin semiconductors
Los autores proponen un marco teórico que utiliza la dispersión inelástica de rayos X para aislar y caracterizar la distribución de carga interna de excitones de Wannier bombeados ópticamente en semiconductores bidimensionales, diferenciando su contribución de la dispersión electrónica convencional.