Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells
Este estudio utiliza simulaciones electrotérmicas de elementos finitos en 2D para demostrar que los efectos termoeléctricos y el transporte filamentario en las celdas de memoria de cambio de fase tipo hongo de GeSbTe reducen significativamente la energía y la potencia de Reset cuando la corriente fluye desde el electrodo superior hacia el estrecho electrodo inferior, al tiempo que revela que el volumen de programación es independiente de las dimensiones del contacto por encima de los 10 nm y que los contactos más grandes intercambian un aumento de la variabilidad por una mejor fiabilidad.