Field-Driven Hybrid Filament Formation Governs Switching in Ta-HfO-Pt Memristors
Este estudio emplea simulaciones de dinámica molecular con transferencia de carga dinámica para revelar que la conmutación en los memristores Ta/HfO/Pt está gobernada por la formación impulsada por el campo de filamentos híbridos compuestos tanto por cationes de Ta como por vacancias de oxígeno, demostrando cómo las configuraciones iniciales de defectos dictan la morfología del filamento y ofreciendo un marco robusto para reducir la variabilidad del dispositivo.