Carrier Localization in Pnictogen-Based Chalcohalides from Defect-Bound Hot Polarons
Este estudio revela que en el chalcohaluro basado en pnictógeno BiSBr, las vacantes introducidas durante la síntesis o el tratamiento posterior inducen la localización extrínseca de portadores mediante la formación de polarones calientes unidos a defectos, los cuales desvían a los portadores excitados de su enfriamiento hacia el borde de la banda y, en consecuencia, limitan la eficiencia del absorbedor solar.