An ultra-wide-bandgap semiconductor photodetector for linear measurement of bright sub-bandgap light
Este artículo demuestra que los fotodetectores de AlN de sub-banda prohibida, diseñados con estructuras de contacto y diseños de dopantes específicos para crear una región de carga espacial estrecha, logran respuestas lineales y no saturadas ante luz azul ultrabrillante y temperaturas elevadas mediante el aprovechamiento de la fotorespuesta mediada por defectos de niveles profundos, permitiendo así una detección fiable en entornos industriales y aeroespaciales extremos.