Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
Este trabajo presenta el crecimiento epitaxial monolítico de puntos cuánticos de InGaAs controlados en posición mediante un método de estrés enterrado con variación de densidad local, logrando una alta precisión de posicionamiento y reproducibilidad que permite integrar fuentes de fotones individuales y microláseres en un solo chip para tecnologías cuánticas fotónicas.