Dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman -GaO substrates
Este estudio utiliza topografía de rayos X y reticulografía para caracterizar los arreglos de dislocaciones y los límites de dominio en sustratos de -GaO crecidos por método Bridgman vertical con orientación (011), revelando sus orientaciones cristalográficas específicas y proporcionando conocimientos críticos sobre la formación de defectos relevantes para el crecimiento epitaxial y el rendimiento de los dispositivos.