Engineering Correlated Transparent Conductors via Metal-Insulator Transition Proximity
Este artículo establece la proximidad a una transición metal-aislante como una estrategia de diseño general para la ingeniería de conductores transparentes de óxidos correlacionados, demostrando que el ajuste del llenado electrónico en películas epitaxiales de sustituido con Ti optimiza el compromiso entre la transparencia óptica y la conductividad eléctrica al equilibrar la ampliación de las ventanas ópticas con la redistribución del peso espectral asistida por el desorden cerca de la transición.