Surface Modification for III-V Selective Area Molecular Beam Epitaxy of Non-Selective Mask Materials
Este estudio demuestra que el depósito de una capa de recubrimiento de dióxido de silicio de menos de 1 nm permite la epitaxia de haces moleculares de área selectiva de semiconductores III-V sobre materiales de máscara altamente reactivos o no selectivos como y , superando así las limitaciones ópticas de las máscaras tradicionales sin degradar su rendimiento espectral.