In-situ operation of amorphous circuits under heavy-ion irradiation
Este estudio demuestra la robusta operación in-situ de un circuito de semiconductor de película delgada amorfa de 100 transistores bajo irradiación de iones pesados, ejecutando con éxito una secuencia de salida "Hello World" a altos flujos de partículas y estableciendo un nuevo hito para la electrónica digital tolerante a la radiación en entornos extremos.