Identifying Contact Barrier Types in Few-Layer MoS2 Devices Using Correlative IV, LBIC, and Bias-Dependent KPFM
Este artículo presenta un marco experimental integrado que combina IV, LBIC y KPFM dependiente de sesgo para identificar y caracterizar de manera inequívoca las barreras de contacto Schottky frente a las de túnel en dispositivos de MoS2 de pocas capas, demostrando que, si bien el recocido térmico reduce la resistencia total, las barreras de contacto siguen siendo el factor limitante dominante.