Engineering Ferromagnetism in Wide Bandgap w-AlN for Spintronic Applications: Insights from DFT Calculations
Este estudio utiliza la teoría del funcional de la densidad con espín polarizado para demostrar que el w-AlN dopado con Cr es un semiconductor ferromagnético de banda prohibida ancha y estable, capaz de transicionar de estados aislantes a estados semimetálicos y metálicos a temperatura ambiente, mientras que las variantes dopadas con Ru y Rh permanecen inestables en el estado ferromagnético, destacando al w-AlN dopado con Cr como un candidato prometedor para aplicaciones de espintrónica.