Stacking-dependent thermoelectric transport in layered Sc_2Si_2Te_6 from first principles
Este estudio revela que la secuencia de apilamiento (AA, AB o ABC) en Sc₂Si₂Te₆ en capas modula significativamente su degeneración de bandas electrónicas y su conductividad térmica de la red, determinando en última instancia que las estructuras ABC y AB ofrecen un rendimiento termoeléctrico superior en comparación con la estructura AA.