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Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

Este artículo demuestra un método escalable y determinista para la construcción de superredes de moiré en materiales 2D utilizando estresores de película delgada con patrones para inducir deformación heterogénea controlada, permitiendo la ingeniería de deformaciones de red específicas y polarización en el plano.

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B$_x$Al$_{1-x}$N alloys

Este estudio emplea métodos computacionales avanzados para determinar y analizar los alineamientos de bandas polares y no polares de las aleaciones de wurtzita B$_x$Al$_{1-x}$N, revelando alineamientos de tipo I o II dependientes de la composición y efectos de polaridad superficial que proporcionan directrices de diseño críticas para transistores de alta movilidad de electrones y dispositivos optoelectrónicos ultravioletas.

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

Este estudio demuestra que la iniciación de fracturas en vidrios de silicato está gobernada por un mecanismo universal de localización de cizalla, desafiando la visión tradicional que enfatiza la densificación volumétrica y alineando estos materiales con el comportamiento de ruptura de los vidrios metálicos masivos y los polímeros amorfos.

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

Este estudio demuestra que los nanocables de telurio quirales crecidos hidrotérmicamente exhiben transporte cuasi-balístico con coherencia de fase, formación de puntos cuánticos sintonizables mediante puerta y factores g altamente anisotrópicos, estableciéndolos como una plataforma versátil para la investigación de qubits de espín y modos cero de Majorana.

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

Este artículo presenta un nuevo método para el crecimiento de capas de óxido de circonio altamente cristalinas y estables al aire sobre niobio que forman interfaces atómicamente nítidas y previenen el crecimiento de óxido, ofreciendo así una vía prometedora para reducir los defectos de sistemas de dos niveles y mejorar los tiempos de coherencia de los dispositivos cuánticos superconductores.

Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals

Este artículo presenta Graphlet-MP, una base de datos integral y un conjunto de herramientas de código abierto que proporciona representaciones de histogramas de grafletos interpretables y eficientes en datos para más de 149.000 cristales inorgánicos para permitir la predicción de propiedades de materiales incluso con datos experimentales escasos.

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

Este estudio utiliza simulaciones electrotérmicas de elementos finitos en 2D para demostrar que los efectos termoeléctricos y el transporte filamentario en las celdas de memoria de cambio de fase tipo hongo de Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ reducen significativamente la energía y la potencia de Reset cuando la corriente fluye desde el electrodo superior hacia el estrecho electrodo inferior, al tiempo que revela que el volumen de programación es independiente de las dimensiones del contacto por encima de los 10 nm y que los contactos más grandes intercambian un aumento de la variabilidad por una mejor fiabilidad.

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V$_2$O$_3$ films

Este estudio demuestra que las películas de V$_2$O$_3$ dopadas con cromo de espesor ultradelgado (hasta 5 nm) exhiben propiedades de selector mejoradas, tales como una baja corriente de fuga y transiciones abruptas, probablemente debido a una capa amorfa interfacial y a la difusión de Ti desde el electrodo que homogeneiza el comportamiento de las fases cristalina y amorfa.

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe$_2$ Transistors

Este artículo demuestra que la transconductancia de los transistores de efecto de campo de WSe$_2$ multicapa puede servir como un espectrómetro eléctrico directo para medir los tiempos de relajación entre valles, ofreciendo tres firmas distintivas —respuesta de frecuencia lorentziana, transitorios de corriente de dos etapas y histéresis proporcional a la velocidad de barrido— que proporcionan acceso cuantitativo a este parámetro utilizando instrumentación estándar.