Scaling Two-Dimensional Semiconductor Nanoribbons for High-Performance Electronics
Este estudio demuestra que escalar los transistores de nanocintas de TMD monocapa a anchos de ~30–40 nm mejora significativamente el rendimiento del dispositivo al reducir la resistencia de contacto y mejorar la electrostática, logrando altas densidades de corriente en estado encendido que posicionan a estos materiales como candidatos prometedores para la electrónica futura ultraescalada.