Origin of a shallow electron pocket: β-band in Co1/3TaS2 studied by angle-resolved photoemission spectroscopy
Mediante espectroscopía fotoemisora resuelta en ángulo y teoría de perturbación de cúmulos, este estudio demuestra que el bolsillo electrónico superficial (β) en Co1/3TaS2 tiene un origen en estados volumétricos impulsados por fuertes correlaciones electrónicas en los sitios de cobalto y requiere orden cristalino de largo alcance, superando las limitaciones de la teoría DFT+U convencional.
Wojciech Sas, Yuki Utsumi Boucher, Seyed Ashkan Moghadam Ziabari, Gaurav Pransu, Trpimir Ivšic, Ivana Vobornik, Jun Fujii, Naveen Singh Dhami, Bruno Gudac, Mario Novak, László Forró, Neven Barišic, Ivo Batistic, Petar PopčevicMon, 09 Ma🔬 cond-mat