Orientation-controlled area-selective deposition of near-single-grain ruthenium interconnects
Este artículo presenta una estrategia de deposición selectiva por área controlada por orientación que utiliza el crecimiento preferencial sobre una plantilla cristalina y la exposición periódica a ozono para eliminar núcleos no deseados, permitiendo la fabricación de interconexiones de rutenio de casi un solo grano con una resistencia y variabilidad eléctrica significativamente reducidas en vías de escala nanométrica.