High-Field EPR/ENDOR of N/Be Centers for Defect Engineering in 6H-SiC
Este estudio utiliza la espectroscopia de EPR y ENDOR de banda W de alto campo para caracterizar el 6H-SiC codopado con nitrógeno y berilio, revelando sus distintas posiciones en la red, propiedades de coherencia de espín y una densidad de espín altamente deslocalizada para demostrar la viabilidad de la ingeniería de defectos de doble impureza para tecnologías cuánticas.