Velocity-field characteristics and device performance in nanoscale amorphous oxide Thin-Film-Transistors
Cette étude présente un modèle physique basé sur des données expérimentales pour caractériser la vitesse des électrons et les performances des transistors à film mince en oxyde amorphe (IGZO) à canal nanométrique, en tenant compte des mécanismes de transport, du piégeage des porteurs et des effets thermiques pour optimiser leur conception dans des applications avancées.