Field-angle dependence of magnetoresistance in UTe2
Cette étude théorique démontre que la géométrie de la surface de Fermi de UTe₂, caractérisée par un gauchissement dans la direction , explique les oscillations de la magnétorésistance observées expérimentalement et suggère que le transport électronique est dominé par une bande de trous à temps de relaxation élevé.