Fast and Sensitive Readout of a Semiconductor Quantum Dot Using an In-Situ Microwave Resonator with Enhanced Gate Lever Arm
यह शोध पत्र MaSQE सिमुलेशन के माध्यम से गेट लीवर आर्म को अनुकूलित करके, एक नियोबियम माइक्रोवेव रेज़ोनेटर से जुड़े Si/SiGe डबल क्वांटम डॉट के तेज़ और संवेदनशील डिस्पर्सिव रीडआउट को प्रदर्शित करता है, जिससे उच्च-प्रतिबाधा वाले रेज़ोनेटर की आवश्यकता के बिना 14.48 MHz बैंडविड्थ और 0.000186 e/√Hz की चार्ज संवेदनशीलता प्राप्त होती है।