Quantum transport in gapped graphene under strain and laser--electrostatic barriers
यह अध्ययन एक ट्रांसफर-मैट्रिक्स दृष्टिकोण का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि कैसे एकअक्षीय जिगज़ैग स्ट्रैन (uniaxial zigzag strain), ऊर्जा अंतराल (energy gaps) और लेजर-मॉड्यूलेटेड इलेक्ट्रोस्टैटिक बाधाएं सामूहिक रूप से गैप्ड ग्राफीन में इलेक्ट्रॉन ट्रांसमिशन को नियंत्रित करती हैं, जो स्ट्रैन-प्रेरित फानो ऑसिलेशन (Fano oscillations) और ट्यूनेबल ट्रांसपोर्ट गुणों को प्रकट करता है जो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक डिवाइस अनुप्रयोगों को उन्नत कर सकते हैं।