Electron viscosity and device-dependent variability in four-probe electrical transport in ultra-clean graphene field-effect transistors
यह अध्ययन अल्ट्रा-क्लीन ग्राफीन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर में डिवाइस-डिपेंडेंट परिवर्तनशीलता की जांच करता है, जो प्रतिरोध उतार-चढ़ाव को प्रतिस्पर्धी स्कैटरिंग तंत्रों और संपर्क युग्मन (कॉन्टैक्ट कपलिंग) के लिए जिम्मेदार मानता है, जबकि उच्च-गतिशीलता वाले ग्राफीन में विस्कस इलेक्ट्रॉनिक योगदान को प्रभावी ढंग से निकालने के लिए एक फेनोमेनोलॉजिकल विश्लेषण पद्धति का प्रस्ताव करता है।