🔬 मेसोस्केल भौतिकी
Floquet second-order topological insulator in strained graphene
यह शोधपत्र प्रदर्शित करता है कि अनिय uniaxial (एकअक्षीय) विकृति को ऑफ-रेजोनेंट (अनुनाद-रहित) वृत्तीय ध्रुवीकृत प्रकाश के साथ संयोजित करने से ग्राफीन प्रणाली एक फ्लोकेट द्वितीय-क्रम टोपोलॉजिकल इंसुलेटर अवस्था में चली जाती है, जो गैप्ड किनारों और सुदृढ़ इन-गैप कॉर्नर मोडों द्वारा अभिलक्षित होती है, जिससे स्ट्रेन्ड (विकृत) ग्राफीन को उच्च-क्रम टोपोलॉजिकल चरणों को साकार करने के लिए एक ट्यूनेबल प्लेटफॉर्म के रूप में स्थापित किया जाता है।