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यह शोध पत्र सिलिकॉन कार्बाइड में डिवाकेंसी (divacancy) और PL5–PL7 स्पिन के कमरे के तापमान पर फोटोइलेक्ट्रिकल डिटेक्शन और लक्षण वर्णन को प्रदर्शित करता है, जो विशिष्ट दोषों के लिए बेहतर विद्युत रीडआउट क्षमताओं को प्रकट करता है और नए स्पिन मापदंडों की पहचान करता है जो क्वांटम इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास को आगे बढ़ाते हैं।
यह शोध पत्र नाइट्रोजन-वैकेंसी (NV) मैग्नेटोमेट्री डेटा से जटिल चुंबकन बनावट (magnetization textures) को सटीक रूप से पुनर्प्राप्त करने और अज्ञात सेंसर-नमूना दूरियों को एक साथ निर्धारित करने के लिए एक ऑटो-डिफरेंशिएबल माइक्रोमैग्नेटिक ढांचे का उपयोग करते हुए एक भौतिकी-सूचित, फूरियर-स्पेस पुनर्निर्माण पद्धति प्रस्तुत करता है।
यह शोध पत्र एक संचालित फोटोनिक मेश लैटिस (driven photonic mesh lattice) में विकार-सक्षम (disorder-enabled), बल्क-लोकलाइज्ड एरेटिक नॉन-हर्मिटियन स्किन इफेक्ट का प्रयोगात्मक रूप से प्रदर्शन करता है, जो एक अद्वितीय टोपोलॉजिकल संक्रमण को प्रकट करता है जहाँ तरंग गतिकी सीमाओं से स्वतंत्र होकर बल्क पैटर्न में स्व-संगठित होती है, जो पारंपरिक स्किन और एंडरसन लोकलाइजेशन दोनों से भिन्न है।
यह अध्ययन रोंबोहेड्रल मल्टीलेयर ग्राफीन में एक पिन किए गए इन्सुलेटिंग विग्नर क्रिस्टल और एक सह-अस्तित्व वाले धात्विक विग्नर क्रिस्टल दोनों के लिए परिवहन साक्ष्य प्रस्तुत करता है, जिसे कंडक्शन बैंड को सपाट करने के लिए विस्थापन क्षेत्र (डिस्प्लेसमेंट फील्ड) को ट्यून करके और विशिष्ट गैर-रैखिक, हिस्टेरेटिक और क्वांटम हॉल हस्ताक्षरों को देखकर प्राप्त किया गया है।
यह शोध पत्र कमतुल्य (commensurate) विग्नर क्रिस्टल के धात्विक, इनकमटुल्य (incommensurate) चरणों में स्वतः स्व-डोपिंग (spontaneous self-doping) के लिए एक सामान्य तंत्र प्रस्तावित करता है और हाल ही में रिवर्स हॉल कंडक्टेंस (reversed Hall conductance) के प्रायोगिक अवलोकनों की व्याख्या करने के लिए इस सिद्धांत को रोम्बोहेड्रल मल्टीलेयर ग्राफीन पर लागू करता है।
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि ग्राफीन के डाइइलेक्ट्रिक वातावरण (dielectric environment) को इंजीनियर करना, फर्मी ऊर्जा या परिवेशी स्थितियों को बदले बिना वाहक-वाहक अंतःक्रियाओं (carrier-carrier interactions) को दबाकर, अल्ट्राफास्ट वाहक तापन और शीतलन गतिकी को बाहरी रूप से नियंत्रित करने के साथ-साथ चार्ज मोबिलिटी और सीबेक गुणांक (Seebeck coefficient) को बढ़ाने का एक शक्तिशाली साधन प्रदान करता है।
यह शोध पत्र आवृत्ति-संवेग वाइंडिंग नंबरों (frequency-momentum winding numbers) को नए टोपोलॉजिकल इनवैरिएंट्स के रूप में पेश करके रैखिक और अरैखिक प्रणालियों में -गुना अपवाद बिंदुओं (exceptional points) के लिए एक सामान्यीकृत डब्लिंग प्रमेय स्थापित करता है, जो ब्रिलुइन ज़ोन (Brillouin zone) में उनकी टोपोलॉजी को अभिलक्षित करते हैं और -सममित द्वि-गुना अपवाद बिंदुओं के लिए एक पूर्व में अप्रकट टोपोलॉजी को प्रकट करते हैं।
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि ग्राफीन जोसेफसन जंक्शन टेराहर्ट्ज़ आवृत्तियों पर अत्यधिक उच्च प्रतिक्रियाशीलता (responsivity) और शोर-तुल्य शक्ति (noise-equivalent power) के साथ एक सुदृढ़, गेट-ट्यूनेबल फोटोरिस्पॉन्स प्रदर्शित करते हैं, जो उन्हें ब्रॉडबैंड क्वांटम सेंसिंग और मिलीकेल्विन तापमान से ऊपर संभावित एकल-फोटॉन डिटेक्शन के लिए एक आशाजनक मंच के रूप में स्थापित करता है।
यह शोध पत्र टूटी हुई व्युत्क्रमण समरूपता (broken inversion symmetry) वाले 2D धातुओं में इलेक्ट्रॉनिक रमन स्कैटरिंग के एक सिद्धांत को प्रस्तुत करता है, जो यह प्रदर्शित करता है कि परिणामी स्पिन-फोटॉन इंटरेक्शन बिना रेजोनेंस ट्यूनिंग के स्पिन उत्तेजनाओं का पता लगाने में सक्षम बनाता है और बड़े डिरैक वेग (Dirac velocity) के कारण पारंपरिक 2D इलेक्ट्रॉन गैसों की तुलना में डोप्ड ग्राफीन में स्पष्ट, काफी मजबूत स्पेक्ट्रल हस्ताक्षर प्रकट करता है।
यह अध्ययन उच्च-गुणवत्ता वाले परिवहन प्रयोगों को एब इनीशियो (ab initio) गणनाओं के साथ जोड़कर यह प्रदर्शित करता है कि hBN के आउट-ऑफ-प्लेन फोनोन से होने वाला रिमोट स्कैटरिंग, न कि ग्राफीन के आंतरिक फोनोन या उच्च-ऊर्जा मोड, विशेष रूप से कम वाहक घनत्व और 150 K से कमरे के तापमान के बीच, hBN-एनकैप्सुलेटेड ग्राफीन के विद्युत प्रतिरोधकता को मौलिक रूप से सीमित करता है।