Depth-Resolved Lattice Distortions in a Silicon-Germanium Qubit Host
यह शोध पत्र उच्च-रिज़ॉल्यूशन वाले एक्स-रे नैनो-स्ट्रक्चरल मैपिंग का उपयोग करके यह प्रदर्शित करता है कि कैसे इंटेल (Intel) Si/SiGe हेटरोस्ट्रक्चर में विकास-प्रेरित जाली दोष (lattice defects) और क्रॉसहॅच पैटर्न डिवाइस के माध्यम से प्रसारित होते हैं, जिससे एक स्थायी स्ट्रेन उत्पन्न होता है जो सीधे सिलिकॉन-जर्मेनियम क्वबिट्स के ऊर्जा स्पेक्ट्रा और प्रदर्शन को प्रभावित करता है।