Simultaneously monitoring Ga adsorption and desorption kinetics on GaN(0001) using four in situ techniques
यह अध्ययन विभिन्न कवरेज पर GaN(0001) पर Ga अधिशोषण (adsorption) और विशोषण (desorption) गतिकी को व्यवस्थित रूप से लक्षणित करने के लिए चार एक साथ इन सीटू (in situ) तकनीकों का उपयोग करता है, जो एक एकीकृत गतिक मॉडल को सफलतापूर्वक मान्य करता है और 2.87 ± 0.04 eV की Ga एडलेयर विशोषण सक्रियण ऊर्जा निर्धारित करता है।