Surface States in Strain-Induced Nodal-Line Topological Semiconductors
यह शोध पत्र 3D टोपोलॉजिकल इंसुलेटर्स, डिरैक, नोडल-लाइन और वेइल सेमीमेटल्स के बीच स्ट्रेन्ड इनवर्टेड-बैंड-गैप सेमीकंडक्टर्स के टोपोलॉजिकल चरण संक्रमणों को मैप करने के लिए एक न्यूनतम लुटिंगर हैमिल्टनियन मॉडल का उपयोग करता है, जबकि उनके निरंतर विकास और अनुमानित नोडल लाइन पर एक नॉन-एनालिटिक डिस्पर्शन विशेषता को प्रकट करने वाले विश्लेषणात्मक सतह अवस्था समाधानों को व्युत्पन्न करता है।