Revealing the (111) surface electronic structure of epitaxially grown NaKSb photocathode
यह अध्ययन ग्राफीन-लेपित SiC पर NaKSb फिल्मों के पहले एपिटैक्सियल विकास की रिपोर्ट करता है, जो ARPES और DFT के माध्यम से (111) सतह इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाओं की पहचान करने में सक्षम बनाता है, और यह प्रदर्शित करता है कि भविष्य के मल्टीअलकाली फोटोकैथोड्स में सुधार की सुविधा के लिए Cs/Sb सक्रियण के बाद फिल्म का क्रिस्टलीय क्रम सुरक्षित रहता है।