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यह शोध पत्र उन्नत आकार अनिसोट्रॉपी (shape anisotropy) वाले एक 3D स्टोरेज लेयर का उपयोग करके सब-20 nm स्पिन ट्रांसफर टॉर्क मैग्नेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी की स्केलेबिलिटी सीमाओं को पार करने की एक रणनीति प्रस्तुत करता है, ताकि कम वोल्टेज पर तेज़ स्विचिंग गति प्राप्त करते हुए सब-10 nm नोड्स पर थर्मल स्थिरता बनाए रखी जा सके।
यह शोधपत्र एक कतिपय (constrained) बेयसियन एडेप्टिव बायसिंग फोर्स (BABFc) ढांचे को प्रस्तुत करता है जो दोष-विशिष्ट सामूहिक चरों (collective variables) की आवश्यकता के बिना, जटिल और अत्यधिक एनहार्मोनिक ऊर्जा परिदृश्यों में मेटास्टेबल दोषों के लिए एनहार्मोनिक फॉर्मेशन फ्री एनर्जी की व्यवस्थित, सटीक और कुशल गणना करने में सक्षम बनाता है, जैसा कि bcc -Fe में इंटरस्टिशियल और वेकेंसी विन्यासों के व्यापक अनुप्रयोगों के माध्यम से प्रदर्शित किया गया है।
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि 1,3-डाइऑक्सेन रिंग के 5-स्थान पर एक मिथाइल समूह स्थापित करना एक "जादुई" संरचनात्मक संशोधन के रूप में कार्य करता है जो तरल क्रिस्टल में ध्रुवीय क्रम (polar order) को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता या सक्षम करता है, जिससे कई आणविक परिवारों में ऐसे चरणों के आरंभ तापमान में 120°C तक की वृद्धि होती है।
लेजर माइक्रो-ARPES का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि मोनोलेयर TaIrTe में एक अर्ध-एक-आयामी (quasi-one-dimensional) बैंड संरचना है जिसमें एक वाहक घनत्व पर वैन हो सिंगुलैरिटी (van Hove singularity) मौजूद है जो परिवहन विसंगतियों (transport anomalies) के असंगत है, जिससे यह संकेत मिलता है कि सामग्री के क्वांटम स्पिन हॉल चरण में प्रबल इलेक्ट्रॉन सहसंबंध (strong electron correlations) एक माध्यमिक भूमिका निभाते हैं।
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मल्टीस्लाइस इलेक्ट्रॉन पेट्रोग्राफी (ptychography) द्वारा किए गए चरण (phase) और आयाम (amplitude) के पुनर्निर्माण अत्यधिक सटीक रहते हैं और इनकोहेरेंट थर्मल डिफ्यूज स्कैटरिंग (incoherent thermal diffuse scattering) के प्रति काफी हद तक असंवेदनशील होते हैं, जो इस बात की पुष्टि करता है कि भारी तत्वों वाले मोटे नमूनों के लिए भी मानक एब्जॉर्प्टिव पोटेंशियल फॉरवर्ड मॉडल पर्याप्त है।
यह शोध पत्र मानक मोड I फ्रैक्चर परीक्षणों से सरलीकृत स्ट्रेन ग्रेडिएंट इलास्टिसिटी के एकल लंबाई पैमाने (लेंथ स्केल) पैरामीटर को पहचानने की एक विधि प्रस्तुत करता है, जो प्रयोगात्मक डेटा का उपयोग करके गैर-शास्त्रीय आकार प्रभावों (नॉन-क्लासिकल साइज इफेक्ट्स) को पकड़ने के लिए भंगुर सामग्रियों के लिए स्पष्ट सूत्र और अर्ध-भंगुर सामग्रियों के लिए प्रतिगमन संबंध (रिग्रेशन रिलेशंस) व्युत्पन्न करता है।
यह अध्ययन यह पुष्टि करने के लिए रमन स्कैटरिंग प्रयोगों और सैद्धांतिक गणनाओं को संयोजित करता है कि 400 K के पास K₃NiO₂ में संरचनात्मक चरण संक्रमण (structural phase transition) Z बिंदु पर एक सॉफ्ट फोनोन (soft phonon) द्वारा संचालित होता है, जो निम्न-तापमान वाले काइरल चरण (chiral phase) में A₁ और B₁ मोड में विभाजित हो जाता है, जबकि यह भी प्रकट करता है कि इस चरण में गैर-शून्य संवेग (nonzero momentum) वाले कुछ फोनोन स्पष्ट गोलाकार परमाणु गति और गैर-शून्य कोणीय संवेग प्रदर्शित करते हैं।
यह शोध पत्र प्रथम-सिद्धांत गणनाओं (first-principles calculations) के माध्यम से यह भविष्यवाणी और प्रदर्शन करता है कि समानांतर सतहों या एकअक्षीय खिंचाव (uniaxial strain) के माध्यम से उनकी सममिति को तोड़कर गैर-ध्रुवीय सिलिकॉन डाइऑक्साइड क्रिस्टल में फेरोइलेक्ट्रिसिटी को इंजीनियर किया जा सकता है, जो सीधे सिलिकॉन चिप्स में एकीकरण के लिए नैनोस्केल पर मजबूत, निम्न-बाधा स्विचिंग को सक्षम बनाता है।
यह शोधपत्र एनरिको फर्मी की 1932 की प्रक्रिया को एक क्वांटम कैनोनिकल ट्रांसफॉर्मेशन का उपयोग करके अनुप्रस्थ विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र तक विस्तारित करता है ताकि एक गेज-सम्मानित, केवल-पदार्थ संबंधी हैमिल्टनियन को व्युत्पन्न किया जा सके जिसमें विसंगत धारा अंतःक्रियाएं शामिल हैं, जिससे हेग के प्रमेय (Haag's theorem) से बचा जा सके और फोनोन एवं अन्य उत्तेजनाओं के अनुदैर्ध्य-अनुप्रस्थ विभाजन के लिए एक क्वांटम मूल प्रदान किया जा सके।
प्रथम-सिद्धांत गणनाएं (First-principles calculations) प्रदर्शित करती हैं कि Te-एनकैप्सुलेटेड सिलिसिन मोनोलेयर्स में समूह-III तत्वों (B, Al, Ga, In) को प्रतिस्थापित करना उनके इलेक्ट्रॉनिक और टोपोलॉजिकल गुणों को व्यवस्थित रूप से ट्यून करता है, जो In-आधारित संस्करण में एक ट्रिवियल सेमीकंडक्टर से क्वांटम स्पिन हॉल इंसुलेटर में संक्रमण को प्रेरित करता है।