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🔬 सामग्री विज्ञान

Structure and thermodynamic stability of β\beta-Ga2_2O3_3 surfaces

यह अध्ययन सभी लो-इंडेक्स β\beta-Ga2_2O3_3 सतहों के संरचनात्मक गुणों और ऊष्मागतिक स्थिरता का व्यापक रूप से विश्लेषण करने के लिए प्रथम-सिद्धांत (first-principles) गणनाओं का उपयोग करता है, जो यह प्रकट करता है कि स्टोइकोमेट्रिक टर्मिनेशन आमतौर पर प्रभावी होते हैं, साथ ही विशिष्ट समन्वय-आधारित कारकों और विभिन्न विकास स्थितियों के तहत सतह की स्थिरता को नियंत्रित करने वाले Ga-समृद्ध पुनर्गठन (Ga-rich reconstructions) की पहचान करता है।

Konstantin Lion, Claudia Draxl2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

Dynamics of Null and Electrostatic Blind Spots for Quantitative PFM

यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि पीज़ोरेस्पॉन्स फोर्स माइक्रोस्कोपी (Piezoresponse Force Microscopy) में नल स्पॉट्स (null spots) और इलेक्ट्रोस्टैटिक ब्लाइंड स्पॉट्स (electrostatic blind spots) मौलिक रूप से भिन्न गतिशील परिचालन स्थितियाँ हैं न कि समतुल्य अवस्थाएँ, जो वास्तविक त्रि-आयामी प्रोब इलेक्ट्रोस्टैटिक्स और मैकेनिक्स को ध्यान में रखकर वास्तव में मात्रात्मक इलेक्ट्रोमैकेनिकल मेट्रोलॉजी प्राप्त करने के लिए एक ढांचा स्थापित करता है।

Marti Checa, Holland Swicegood, Ruben Millan-Solsona, Ralph Bulanadi, Jerry Zhao, Jack Lasseter, Stephen Jesse, Liam Col (…)2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

Topology of Shape and Data in Material Microstructures

यह शोध पत्र एक नवीन ढांचे का प्रस्ताव करता है जो सामग्री के सूक्ष्म संरचनाओं (microstructures) की जटिल टोपोलॉजी, आकार और स्थानिक व्यवस्थाओं को कठोरता से मापने और दृश्यमान बनाने के लिए गैर-यूक्लिडियन आकार दूरियों (non-Euclidean shape distances) और पृथकरणीय आकार टेंसरों (separable shape tensors) के साथ टोपोलॉजिकल डेटा विश्लेषण को एकीकृत करता है, जो इलेक्ट्रॉन बैकस्कैटर डिफ्रैक्शन विश्लेषण और व्यापक इमेजिंग विज्ञान अनुप्रयोगों के लिए उन्नत उपकरण प्रदान करता है।

Jeanie Schreiber, Zachary Grey, Adam Creuziger2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

Temperature-doping phase diagram and endurance in Ce-doped HfO2

यह अध्ययन अल्ट्राथिन Ce-डोपेड HfO2 फिल्मों के लिए एक तापमान-डोपिंग चरण आरेख (temperature-doping phase diagram) स्थापित करता है, जो यह प्रकट करता है कि Ce सांद्रता में वृद्धि उच्च-सममिति चरणों को स्थिर करती है और ऑर्थोरोम्बिक विरूपण (orthorhombic distortion) के शमन के माध्यम से 10⁸ चक्रों तक साइकलिंग सहनशीलता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाते हुए अवशिष्ट ध्रुवीकरण (remanent polarization) को कम करती है।

Amit Kumar Shah, Haidong Lu, Kawshan Hathurusingha, Alexei Gruverman, Xiaoshan Xu2026-07-31
🔬 संघनित पदार्थ

Design principles for energy dissipation in viscoelastic network metamaterials

यह शोध पत्र क्रॉस-सेक्शनल क्षेत्रों को पुनर्वितरित करके विस्कोइलास्टिक ट्रस नेटवर्क में ऊर्जा अपव्यय को अनुकूलित करने के लिए एक गणनात्मक रूप से कुशल ग्राफ लाप्लासियन-आधारित स्पेक्ट्रल ढांचे को प्रस्तुत करता है, जो यह प्रकट करता है कि ग्रेडिएंट-आधारित अनुकूलन ऐसी संरचनाओं को जन्म देता है जो विशेष रूप से वैश्विक अनुनाद मोड (global resonant modes) के निकट, सामग्री की अंतर्निहित क्षीणन लंबाई (attenuation length) द्वारा नियंत्रित होती हैं।

Niranjan Sarpangala, Sean Fancher, Prashant K. Purohit, Eleni Katifori2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

Beyond Hexagonal Boron Nitride: First-Principles Study of Pentaoctite-BN and Pop-BN Monolayers

यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन प्रदर्शित करता है कि नवीन गैर-षट्कोणीय पेंटाऑक्टाइट-BN और पॉप-BN मोनोलेयर्स गतिशील, यांत्रिक और तापीय रूप से स्थिर अप्रत्यक्ष-अंतराल (indirect-gap) अर्धचालक हैं जिनके ऑप्टिकल गुण ट्यूनेबल हैं, जो उन्हें भविष्य के ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक उम्मीदवार बनाता है।

Victor M. S. da Conceição, Erika N. Lima, Roberto H. Miwa, Igor S. S. de Oliveira2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

A Universal Crystal-Field Design Principle for Orbital-Order-Driven Altermagnetism

यह शोध पत्र एक सार्वभौमिक क्रिस्टल-फील्ड डिजाइन सिद्धांत स्थापित करता है जो यह प्रदर्शित करता है कि संरचनात्मक विश्राम (स्ट्रक्चरल रिलैक्सेशन) निरंतर एक dxz/dyzd_{xz}/d_{yz} कक्षक मैनिफोल्ड को सक्रिय करता है ताकि ट्रांज़िशन-मेटल यौगिकों में सुदृढ़, कक्षक-क्रम-चालित अल्टरमैग्नेटिज्म (ऑर्बिटल-ऑर्डर-ड्रिवन अल्टरमैग्नेटिज्म) को संचालित किया जा सके, जबकि एक एकीकृत सममिति ढांचा यह प्रकट करता है कि कैसे इंटरलेयर स्टैकिंगिंग परिणामी चुंबकीय अवस्था और अनिसोट्रोपिक स्पिन-पोलराइज्ड चालकता को निर्धारित करती है।

Shantanu Pathak, Saswata Bhattacharya2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

A Combined Microbeam and Phase-Field Approach to Identify the Toughness and Ultimate Strength of Amorphous Silica

यह शोध पत्र अमोर्फस सिलिका (amorphous silica) की आंतरिक कठोरता (GcG_c) और अंतिम तन्य शक्ति (σc\sigma_c) को एक साथ निर्धारित करने के लिए FIB-निर्मित माइक्रोबीम्स और फेज़-फील्ड मॉडलिंग का उपयोग करते हुए एक संयुक्त प्रयोगात्मक और संख्यात्मक दृष्टिकोण प्रस्तुत करता है, जो पारंपरिक विधियों की सीमाओं को दूर करता है जो आमतौर पर केवल फ्रैक्चर टफनेस (fracture toughness) ही प्रदान करती हैं।

Gustavo Alberto Rosales-Sosa, Gergely Molnar, Yoshinari Kato, Taichi Nakashima, Takahito Ohmura, Etienne Barthel, Guilla (…)2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

High-Field EPR/ENDOR of N/Be Centers for Defect Engineering in 6H-SiC

यह अध्ययन नाइट्रोजन और बेरिलियम सह-डोपड (co-doped) 6H-SiC के विशिष्ट जालक स्थानों (lattice positions), स्पिन सुसंगतता गुणों (spin coherence properties) और अत्यधिक विस्थानीकृत स्पिन घनत्व (highly delocalized spin density) को प्रकट करने के लिए उच्च-क्षेत्र W-बैंड EPR और ENDOR स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करता है, ताकि क्वांटम प्रौद्योगिकियों के लिए द्वैत-अशुद्धि दोष इंजीनियरिंग (dual-impurity defect engineering) की व्यवहार्यता को प्रदर्शित किया जा सके।

Yuliya Ermakova, Ekaterina Dmitrieva, Margarita Sadovnikova, Fadis Murzakhanov, George Mamin, Sergey Nagalyuk, Evgeny Mo (…)2026-07-31
🔬 सामग्री विज्ञान

STM study of single phosphorus incorporation into silicon by heating PBr3 on Si(100)

यह अध्ययन स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी और डेंसिटी फंक्शनल थ्योरी को संयोजित करता है यह प्रकट करने के लिए कि एकल फास्फोरस परमाणु एक सिलिकॉन परमाणु के साथ विनिमय तंत्र के माध्यम से Si(100) की सतह में समाहित होते हैं, जो 175°C जैसे कम तापमान पर एनीलिंग करने पर एक स्थिर P-Si-Br कॉम्प्लेक्स (complex) बनाते हैं।

Tatiana V. Pavlova, Vladimir M. Shevlyuga2026-07-31