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🔬 materials science

Electron-phonon coupling across the TMD/hBN van der Waals interface

एंगल-रिजॉल्व्ड फोटोइमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग करते हुए, शोधकर्ताओं ने प्रदर्शित किया है कि मोनोलेयर ट्रांजिशन मेटल डाइकैल्कोजेनाइड्स (TMDs) में क्वैसीपार्टिकल्स एक आसन्न हेक्सागोनल बोरान नाइट्राइड (hBN) परत से रिमोट फोनोन द्वारा सुसज्जित होते हैं, जो एक जेनेरिक इंटरलेयर इलेक्ट्रॉन-फोनोन कपलिंग को प्रकट करता है जो 2D हेट्रोस्ट्रक्चर में इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी और सहसंबद्ध चरणों (correlated phases) को प्रभावित कर सकता है।

G. Gatti, C. Berthod, J. Issing, M. Straub, S. Mandloi, Y. Alexanian, J. Avila, P. Dudin, T. K. Kim, M. D. Watson, C. Ca (…)2026-04-28
🔬 applied physics

Evidence of Micron-Scale Ion Damage in (010), (110), and (011) β−Ga2O3{\beta}-Ga_2O_3 Epitaxial Layers

यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि स्पटरिंग और ICP नक़्क़ाशी (etching) से होने वाला आयन क्षतितज्ञता (ion damage), (010), (110), और (011) β\beta-Ga2_2O3_3 एपिटैक्सियल परतों में 11.5 μ\mum की गहराई तक महत्वपूर्ण, अभिविन्यास-निर्भर (orientation-dependent) आवेश रिक्तीकरण (charge depletion) का कारण बनता है, जबकि (001) परतें काफी हद तक अप्रभावित रहती हैं।

Carl Peterson, Chinmoy Nath Saha, Yizheng Liu, James S. Speck, Sriram Krishnamoorthy2026-04-28
🔬 materials science

Electronic and optical properties of arsenic monolayers: from planar honeycomb to the puckered phase

यह अध्ययन घनत्व कार्यात्मक सिद्धांत (density functional theory) और बहु-निकाय विक्षोभ विधियों (QS$GW$ और BSE) का उपयोग करके यह जांच करता है कि द्विकक्षीय तनाव (biaxial strain) के तहत एक पकेर्ड चरण (puckered phase) से समतलीय हनीकॉम्ब संरचना (planar honeycomb structure) में संरचनात्मक संक्रमण के दौरान आर्सेनिक मोनोलेयर्स के इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल गुण कैसे विकसित होते हैं।

Niloufar Dadkhah, Walter R. L. Lambrecht2026-04-28
🔬 materials science

Bottom-up realization of a type-II organic-TMD heterointerface: Pentacene on monolayer WS2

आणविक किरण एपिटैक्सी और उन्नत स्पेक्ट्रोस्कोपिक तकनीकों का उपयोग करते हुए, शोधकर्ता एक अत्यधिक व्यवस्थित पेंटासीन/मोनोलेयर WS2\text{WS}_2 हेटरोस्ट्रक्चर के बॉटम-अप संश्लेषण को प्रदर्शित करते हैं जो एक टाइप-II बैंड संरेखण प्रदर्शित करता है, जो इसे हाइब्रिड कार्बनिक-अकार्बनिक इंटरफेस में चार्ज ट्रांसफर के अध्ययन के लिए एक मॉडल सिस्टम के रूप में स्थापित करता है।

Michele Capra, Christian S. Kern, Mira S. Arndt, Karl J. Schiller, Max Niederreiter, Francesco Presel, Iolanda Di Bernar (…)2026-04-28
🔬 materials science

Improved Electrochemical Performance and Diffusion kinetics by Boron-doping in Na0.66_{0.66}Mn0.8_{0.8}Fe0.2_{0.2}O2_{2} Layered Cathodes for Sodium-Ion Batteries

यह शोध पत्र यह प्रदर्शित करता है कि Na0.66Mn0.8Fe0.2O2\text{Na}_{0.66}\text{Mn}_{0.8}\text{Fe}_{0.2}\text{O}_{2} लेयर्ड कैथोड में बोरॉन डोपिंग इलेक्ट्रोकेमिकल परीक्षण, DRT विश्लेषण और कम्प्यूटेशनल सिमुलेशन (DFT और MD) के संयोजन के माध्यम से विशिष्ट क्षमता, साइक्लिंग स्थिरता और सोडियम-आयन प्रसार गतिकी को बढ़ाती है।

Jayashree Pati, P. Senthilkumar, Deepak Seth, Riya Gulati, Manish Kr. Singh, Madhav Sharma, Anita Dhaka, M. Ali Haider (…)2026-04-28
🔬 materials science

Above-room-temperature ferromagnetism in large-area epitaxial Fe3GaTe2/graphene van der Waals heterostructures

यह अध्ययन मॉलिक्यूलर बीम एपिटैक्सी के माध्यम से ग्राफीन/SiC टेम्प्लेट पर Fe3GaTe2 की उच्च-गुणवत्ता वाली, बड़े-क्षेत्र की एपिटैक्सियल वृद्धि की अभूतपूर्व सफलता की रिपोर्ट करता है, जो वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर (van der Waals heterostructures) उत्पन्न करता है जो मजबूत लंबवत चुंबकीय अनिसोट्रॉपी (perpendicular magnetic anisotropy) और 400 K का उन्नत क्यूरी तापमान प्रदर्शित करते हैं, जो कमरे के तापमान से काफी ऊपर है।

Tauqir Shinwari, Kacho Imtiyaz Ali Khan, Hua Lv, Atekelte Abebe Kassa, Frans Munnik, Simon Josephy, Achim Trampert, Vict (…)2026-04-27
🔬 materials science

Quantization of spin circular photogalvanic effect in altermagnetic Weyl semimetals

यह लेख सैद्धांतिक रूप से अल्टरमैग्नेटिक वेइल सेमीमेटल्स (altermagnetic Weyl semimetals) के लिए अद्वितीय एक क्वांटाइज्ड स्पिन-सर्कुलर फोटोगैल्वैनिक प्रभाव की भविष्यवाणी और वर्गीकरण करता है, जो अल्टरमैग्नेटिज्म के एक नए ऑप्टिकल सिग्नेचर को स्थापित करने के लिए सिमेट्री-ड्रिवन मॉडलिंग और फर्स्ट-प्रिंसिपल्स गणनाओं के माध्यम से इस घटना को मान्य करता है।

Hiroki Yoshida, Jan Priessnitz, Libor Šmejkal, Shuichi Murakami2026-04-27
🔬 materials science

Integration of imprint-free and low coercivity ferroelectric BaTiO3 thin films on silicon

यह अध्ययन थर्मल स्ट्रेन को कम करने और ध्रुवीकरण को स्थिर करने के लिए SrSn1-xTixO3 बफर परत का उपयोग करके सिलिकॉन पर उच्च-गुणवत्ता वाली, एकल-क्रिस्टलीय BaTiO3 पतली फिल्मों के सफल विकास को प्रदर्शित करता है, जिसके परिणामस्वरूप नॉन-वोलेटाइल मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए इमप्रिंट-मुक्त, निम्न-कोएर्सिविटी वाले फेरोइलेक्ट्रिक उपकरण प्राप्त होते हैं।

Jingtian Zhao, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott2026-04-27
🔬 materials science

High-throughput, Non-Destructive, Three-Dimensional Imaging of GaN Threading Dislocations with in-Plane Burgers Vector Component via Phase-Contrast Microscopy

यह शोधपत्र एक उच्च-थ्रूपुट, गैर-विनाशकारी फेज़-कॉन्ट्रास्ट माइक्रोस्कोपी (PCM) तकनीक का प्रदर्शन करता है जो कंट्रास्ट आकृतियों और फोकल प्लेन शिफ्टों का विश्लेषण करके GaN में थ्रेडिंग डिसलोकेशन्स और अन्य दोषों की त्रि-आयामी इमेजिंग करने में सक्षम है।

Yukari Ishiakwa, Ryo Hattori, Yongzhao Yao, Daiki Katsube, Koji Sato2026-04-27
🔬 materials science

Halide diffusion in mixed-halide perovskites and heterojunctions

डेंसिटी फंक्शनल थ्योरी पर प्रशिक्षित न्यूरल नेटवर्क पोटेंशियल के साथ मॉलिक्यूलर डायनेमिक्स सिमुलेशन का उपयोग करते हुए, यह अध्ययन प्रकट करता है कि सिंगल-हैलाइड पेरोव्स्किट्स की तुलना में मिश्रित-हैलाइड CsPb(Ix_xBr1−x_{1-x})3_3 में हैलाइड रिक्तियां (vacancies) और इंटरस्टिशियल (interstitials) उन्नत विसरण (diffusion) प्रदर्शित करते हैं, जबकि हेटरोजंक्शनों के पार उनका परिवहन इंटरफ़ेस संरचना द्वारा महत्वपूर्ण रूप से नियंत्रित होता है, जिसमें Br-समृद्ध इंटरफ़ेस रिक्ति प्रवास को रोकता है और I-समृद्ध इंटरफ़ेस पारगम्य बना रहता है।

Viren Tyagi, Mike Pols, Geert Brocks, Shuxia Tao2026-04-27