🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Spinterface-like mechanism of the chirality-induced spin selectivity in donor chiral-bridge acceptor complexes

यह शोध पत्र डोनर-कायरल ब्रिज-एक्सेप्टर कॉम्प्लेक्स के भीतर एक इंट्रा-मॉलिक्यूलर स्पिन्सफ़ेस-समान तंत्र प्रस्तावित करता है, जहाँ चार्ज-ट्रांसफर करंट और डोनर थर्मलइज़ेशन एक प्रभावी सोलेनॉइडल क्षेत्र उत्पन्न करते हैं जो स्पिन डिजेनेरेसी को तोड़ता है ताकि ब्रिज पर अंतर्निहित स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग की आवश्यकता के बिना कायरैलिटी-प्रेरित स्पिन चयनात्मकता (chirality-induced spin selectivity) को मात्रात्मक रूप से समझाया जा सके।

Subhajit Sarkar, Oliver L. A. Monti, Yonatan Dubi2026-07-02
🔬 मेसोस्केल भौतिकी

Facet-selective ballistic supercurrent in a weak topological insulator

यह अध्ययन कमजोर टोपोलॉजिकल इंसुलेटर ZrTe5 पर आधारित जोसेफसन जंक्शनों में फेसेट-चयनात्मक बैलिस्टिक सुपरकरंट्स की पहली प्राप्ति को प्रदर्शित करता है, जहाँ सुपरकंडक्टिंग क्वांटम इंटरफेरोमेट्री इस बात की पुष्टि करती है कि सुपरकरंट विशिष्ट क्रिस्टलोग्राफिक फेसेट्स तक स्थानिक रूप से सीमित है जो गैपलेस टोपोलॉजिकल सरफेस स्टेट्स को धारण करते हैं।

Prasanna Rout, Ankit Khola, Lalit Pandey, Paolo Sessi, Xiaochun Huang, Ivo Cools, S. Galeski, Matthias Bode, Johan Åkerm (…)2026-07-02
🔬 प्रयुक्त भौतिकी

Near-Field Characterisation of Guided Modes in WS2 Nanobeams and Quasi-Bulk Crystals

यह अध्ययन WS2 नैनोबीम और क्वासी-बल्क क्रिस्टल में गाइडेड मोड्स के तरंगदैर्ध्य-निर्भर मोडल कन्फाइनमेंट, क्षीणन (attenuation) और फैलाव (dispersion) को कैरेक्टराइज करने के लिए हाइपरस्पेक्ट्रल कैविटी-एन्हांस्ड इमेजिंग और स्कैटरिंग-टाइप स्कैनिंग नियर-फील्ड ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी (s-SNOM) का उपयोग करता है, जबकि सामग्री के एक्सटिंक्शन गुणांक पर उच्च-रिज़ॉल्यूशन सीमाएँ स्थापित करता है और नैनोस्केल वेवगाइड्स में महत्वपूर्ण मापन आर्टिफ़ैक्ट्स की पहचान करता है।

Zara S. Taylor, Luke M. Hallacy, Xuerong Hu, Oliver T. Williams, Simone Strohmair, Fabian Felixberger, Alexander J. Knig (…)2026-07-02
🔬 परमाणु भौतिकी

The BiP-PRISM algorithm for fast and scalable core-loss STEM-EELS simulations

यह शोध पत्र BiP-PRISM एल्गोरिदम प्रस्तुत करता है, जो मात्रात्मक STEM-EELS सिमुलेशन की गणना और मेमोरी लागत को काफी कम करने के लिए बीम पार्टिशनिंग और नेचुरल-नेबर इंटरपोलेशन का उपयोग करता है, जिससे उपभोक्ता-ग्रेड GPU पर उच्च-सटीकता वाले, पूर्ण-रिज़ॉल्यूशन वाले मौलिक मानचित्रण (एलिमेंटल मैपिंग) को सक्षम बनाया जा सके।

Philipp Pelz2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Prediction of coherent interfaces between diamond and clathrate structures

यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि हीरा और क्लैथरेट संरचनाएं एक विशिष्ट संक्रमण परत के माध्यम से जालक मिसफिट (lattice misfit) को समाप्त करके तापीय रूप से स्थिर, सुसंगत इंटरफेस बना सकती हैं, जो मेटास्टेबल क्लैथरेट फिल्मों के स्थिरीकरण को सक्षम बनाता है और ऐसी बॉन्डिंग स्ट्रेंथ प्रदर्शित करता है जो इंट्रा-क्लैथरेट इंटरैक्शन से भी अधिक है।

Eva Pospíšilová, Marek Mihalkovič2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Diamond Diode for Extreme Venus Environments

यह शोधपत्र एक उच्च-प्रदर्शन वाले डायमंड शॉटकी पिन डायोड का प्रदर्शन करता है जो वीनस (शुक्र) के वातावरण के अनुकूल अत्यधिक करंट घनत्व और पावर हैंडलिंग में सक्षम है, जिसे प्रयोगात्मक परिणामों द्वारा समर्थित किया गया है और विश्लेषणात्मक मॉडलों एवं TCAD सिमुलेशन द्वारा मान्य किया गया है जो डिवाइस के प्रदर्शन को और अधिक अनुकूलित करने के लिए दोष और संपर्क प्रतिरोध में कमी को प्रमुख कारक के रूप में पहचानते हैं।

Harshad Surdi, Gabriel Munro-Ludders, Mohamadali Malakoutian, Srabanti Chowdhury, Savannah Eisner, Mohamed Fadil Isamotu (…)2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Topological Hall effect due to electron-skyrmion scattering

यह शोधपत्र स्काईर्मियन्स (skyrmions) जैसे काइरल स्पिन टेक्सचर से इलेक्ट्रॉन प्रकीर्णन की सभी कपलिंग स्ट्रेंथ्स के माध्यम से जांच करता है, जो राम्सौर-टाउनसेंड मिनिमा और अनुनाद (resonances) जैसी नई विशेषताओं को प्रकट करता है जो टोपोलॉजिकल और स्पिन हॉल कंडक्टिविटी को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करते हैं, विशेष रूप से वास्तविक सामग्रियों के लिए प्रासंगिक मजबूत-कपलिंग शासन (strong-coupling regime) में।

Arijit Mandal, Hareram Swain, B. R. K. Nanda, S. Satpathy2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Electric-field effects on defect migration energetics in GaN

यह अध्ययन GaN के लिए एक ReaxFF रिएक्टिव फोर्स फील्ड विकसित करता है ताकि यह प्रदर्शित किया जा सके कि बाहरी रूप से लागू विद्युत क्षेत्र चार्ज-लैटिस कपलिंग के माध्यम से दोष प्रवासन बाधाओं (defect migration barriers) को गैर-रैखिक और अनिसोट्रोपिक रूप से नियंत्रित करते हैं, जो उच्च-क्षेत्र वाले वातावरण में डिवाइस विश्वसनीयता के लिए महत्वपूर्ण अंतर्दृष्टि प्रदान करता है।

Farshid Reza, Hamdy Arkoub, Alexander S. Hauck, Adri C. T. van Duin, Miaomiao Jin2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Observation of Flat Bands in Type-II Weyl Semimetal TaRhTe4_{4}

यह शोध पत्र एंगल-रिजॉल्व्ड फोटोइमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी के माध्यम से बल्क नॉनसेंट्रोसिमेट्रिक टाइप-II वेइल सेमीमेटल TaRhTe4_4 में केमिकल पोटेंशियल के पास अप्रत्याशित फ्लैट बैंड्स की प्रयोगात्मक खोज की रिपोर्ट करता है, जो एक ऐसे अनूठे प्लेटफॉर्म को प्रकट करता है जहाँ सैद्धांतिक भविष्यवाणियों में ऐसी विशेषताओं की अनुपस्थिति के बावजूद नॉनट्रिवियल टोपोलॉजी और फ्लैट बैंड्स का सह-अस्तित्व बना हुआ है।

Harry Rankin, Tyler J. Slade, Benjamin Schrunk, Yevhen Kushnirenko, Andrew Eaton, K. U. R. R. S. Rathnayaka, Maxwell Doy (…)2026-07-02
🔬 सामग्री विज्ञान

Stable Thin Clathrate Layers

यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि मुक्त-खड़े (free-standing) मौलिक सिलिकॉन, जर्मेनियम और टिन स्लैब, सतह ऊर्जा स्थिरीकरण के कारण 3–6 मोनोलेयर रेंज के भीतर क्लैथरेट परतों और विशिष्ट एडाटोमिक पैटर्न सहित अद्वितीय स्थिर गैर-डायमंड संरचनाओं को प्रदर्शित करते हैं, जबकि कम कवरेज पर विशिष्ट संरचनात्मक प्राथमिकताओं और अस्थिरताओं को प्रकट करते हैं।

Eva Pospíšilová2026-07-01